太陽能 硅片壽命 配已知壽命樣片、配示波器

產(chǎn)品簡介 
1、用途
用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形*嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶的重要檢測項目。
2、  設備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關斷時間＜1μｓ
紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）   脈沖電流：5A～20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、高頻源
頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出功率＞1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應：2Hz～2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器：頻帶寬度不低于10MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調(diào)。
3、測量范圍
可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥0.1Ω·㎝（歐姆·厘米）
壽命值的測量范圍：5～6000μｓ（微秒）