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半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀
該儀器充分吸收國外，測(cè)試系統(tǒng)的特點(diǎn)，采用了，的嵌入式計(jì)算機(jī)，和優(yōu)化結(jié)構(gòu)，、16位并行A/D和D/A，、多，開爾文反饋，、小信號(hào)精密測(cè)試，以及陣列開關(guān)結(jié)構(gòu)，，并選用，材料制作。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)、選材、，、制作、調(diào)試、校驗(yàn)等諸多方面與，現(xiàn)有同類系統(tǒng)相比均有較大**，從而**提高了系統(tǒng)的，性能和，性，，了該系統(tǒng)各項(xiàng)，性能指標(biāo)處于，，、，，的地位。
其特點(diǎn)是：側(cè)重于中小功率器件、測(cè)試品種覆蓋面廣、測(cè)試精度高、電參數(shù)測(cè)試，、速度快、有，的重復(fù)性和**性、很高的工作穩(wěn)定性和，性，很強(qiáng)的保護(hù)系統(tǒng)和被測(cè)器件保護(hù)能力。系統(tǒng)軟件功能**、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定，、硬件故障率，低，在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中各項(xiàng)，指標(biāo)**真實(shí)達(dá)到手冊(cè)，要求。
系統(tǒng)采用方便易學(xué)的窗口菜單界面，在PC機(jī)窗口提示下，輸入被測(cè)器件的測(cè)試條件，測(cè)試人員即可輕松快捷地控制系統(tǒng)，完成填表編程和開發(fā)測(cè)試程序、測(cè)試器件。操作人員**具備**計(jì)算機(jī)編程語言知識(shí)，使用簡捷方便。3分鐘即可完成一種測(cè)試編程，編寫完成后輸入儀器即可測(cè)試。當(dāng)然還可以在儀器下直接進(jìn)行器件測(cè)試程序及條件的編寫，方便靈活。系統(tǒng)和測(cè)試夾具均采用多，開爾文結(jié)構(gòu)，自動(dòng)補(bǔ)償系統(tǒng)內(nèi)部產(chǎn)生的**壓降，，**情況下測(cè)試結(jié)果的精度和準(zhǔn)確性。
優(yōu)良的**、低廉的價(jià)格、周到的服務(wù)使得該系統(tǒng)在，市場具有**的競爭實(shí)力。“高duan的**、低端的價(jià)格、周到的，支持、，方位的客戶服務(wù)”是*儀美達(dá)產(chǎn)品對(duì)市場和對(duì)客戶的*恒承諾。
，特征
采用脈沖法測(cè)試參數(shù)、脈寬可為300μS，，國軍標(biāo)的規(guī)定采用嵌入式計(jì)算機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)脫機(jī)運(yùn)行
16位并行D/A、A/D設(shè)計(jì)，測(cè)試速度快、精度高
采用多，開爾文，，系統(tǒng)穩(wěn)定性高，測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確
采用三，保護(hù)，，系統(tǒng)，，對(duì)被測(cè)器件*損傷
豐富的WINDOWS界面菜單編程和控制能力、方便的用戶信息文件、統(tǒng)計(jì)文件方式
晶體三，管自動(dòng)NPN和PNP 判別能力，*止選錯(cuò)類型
二，管，性自動(dòng)判別選擇，用戶測(cè)試二，管不，注意，性
***自檢/自校準(zhǔn)能力
測(cè)試系統(tǒng)需要的其它多種數(shù)據(jù)后處理能力
，參數(shù)
主，電壓：200V
主，電流：10mA
控制，1電壓：20V
控制，1電流：10A
控制，2電壓：20V
控制，2電流：1A
電壓分辨率：1mV
電流分辨率：1nA
測(cè)試速度：器件不同速度也不同
試器件種類
測(cè)試功能*加**，可測(cè)試八類中、小功率的半導(dǎo)體分立器件：
二，管
穩(wěn)壓（齊納）二，管
晶體管（NPN型/PNP型）
可控硅整流器（普通晶閘管）
雙向可控硅（雙向晶閘管）
MOS場效應(yīng)管（N-溝/P-溝）
結(jié)型場效應(yīng)管（N-溝/P-溝，耗盡型/增強(qiáng)型）
光電耦合器
上述所列類別包括各中、小功率半導(dǎo)體分立器件及其組成的陣列、組合、表貼器件。
測(cè)試方法，，行業(yè)總規(guī)范、相應(yīng)的，標(biāo)準(zhǔn)、，**器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
提供上述**器件測(cè)試所用的不同封裝形式的測(cè)試夾具和測(cè)試適配器。
可以定做**陣列、組合封裝、表貼器件的測(cè)試夾具。
幫助用戶開發(fā)**器件的測(cè)試程序。
，參數(shù)
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S、IDSS、IDOFF、IDGO、ICES、IGESF、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)： BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)
BVDSS、VD、 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD+、VD-、BVDGO、BV Z、BVEBO、BVGSS
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode) 、VGSTH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH
鎖定參數(shù)：IL
混合參數(shù)：rDSON、gFS
測(cè)試盒說明：
測(cè)試盒共有五種：
1：可測(cè)二，管、穩(wěn)壓二，管；
2：可測(cè)封裝為TO-92、TO-220等三個(gè)管腳在一個(gè)平面上的三端器件；
3：可測(cè)封裝為TO-3及，封裝為F1、F2、F3、F4三端器件；
4：可測(cè)三個(gè)管腳分三角形排列，且器件殼體為小圓型的小功率三端器件；
5：可測(cè)DIP4、DIP6、DIP8封裝的光電耦合器；
測(cè)試夾具：
測(cè)試夾具有三根夾子線，與測(cè)試盒1配合使用，用來測(cè)試器件形狀**，不能使用上述五種測(cè)試盒上的插座，則使用此三個(gè)夾子線直接夾在器件的管腳上進(jìn)行測(cè)試。
表貼器件
其它表貼類型的器件，可根據(jù)實(shí)際器件的封裝定做相應(yīng)的測(cè)試盒。